多晶硅超純水設備主要用在多晶硅片清洗中，多晶硅片,半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電,顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導致各種缺陷。針對多晶硅加工工藝需求和當地水源情況，可采用工藝流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工藝流程，純水一號采用國內先進設計理念，確保系統(tǒng)設備產水達到標準。
設備優(yōu)點
目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎上進行不同組合搭配衍生而來。現將他們的優(yōu)缺點分別列于右邊：
設備優(yōu)點
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第一種 采用離子交換樹脂
其優(yōu)點在于初投資少，占用的地方少，但缺點就是需要經常進行離子再生，耗費大量酸堿，而且對環(huán)境有一定的破壞。
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第二種 采用反滲透作為預處理再配上離子交換
其特點為初投次比采用離子交換樹脂方式要高，但離子再生周期相對要長，耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對環(huán)境還是有一定的破壞性。
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第三種 采用反滲透作預處理
再配上電去離子(EDI)裝置
這是目前制取超純水最經濟，最環(huán)保用來制取超純水的工藝，不需要用酸堿進行再生便可連續(xù)制取超純水，對環(huán)境沒什么破壞性。其缺點在于初投資相對以上兩種方式稍貴一點。
技術要求
采用膜表面高分子嫁接技術，產水TOC在20PPB以下，更適用電子級超純水系統(tǒng)。 高TOC脫除率、高抗污染能力、低TOC溶出率，TOC達標沖洗時間短、先進配套電源技術，能耗更低。
水質標準
1、ASTM-D5127-2007《美國電子學和半導體工業(yè)用超純水標準》
2、歐盟電子級超純水標準
3、中國電子工業(yè)國家標準
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